BSP88 |
RFQ for BSP88 |
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| Technical/Catalog Information | BSP88E6327 |
| Vendor | Infineon Technologies |
| Category | Discrete Semiconductor Products |
| Mounting Type | Surface Mount |
| FET Polarity | N-Channel |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 240V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C | 350mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 350mA, 10V |
| Input Capacitance (Ciss) @ Vds | 95pF @ 25V |
| Power - Max | 1.8W |
| Packaging | Tape & Reel (TR) |
| Gate Charge (Qg) @ Vgs | 6.8nC @ 10V |
| Package / Case | SOT-223, SC-73, TO-261 (3 Leads + Tab) |
| FET Feature | Logic Level Gate |
| Lead Free Status | Contains Lead |
| RoHS Status | RoHS Non-Compliant |
| Other Names | BSP88E6327 BSP88E6327 BSP88INTR ND BSP88INTRND BSP88INTR |
| Product | Manufacturers | Pack | D/C |
| BSP88 | - | - | - |
Features |
| · N-Channel· Enhancement mode· Logic Level· dv/dt rated |
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Parameter |
Symbol |
Value |
Unit | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Continuous drain current TA=25°C TA=70°C |
ID |
0.35 |
A | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Pulsed drain current TA=25°C |
I D puls |
1.4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Reverse diode dv/dt |
dv/dt |
6 |
kV/s | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Gate source voltage |
V GS |
± 20 |
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ESD Sensitivity (HBM) as per MIL-STD 883 |
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Class 1 |
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Power dissipation TA=25°C |
Ptot |
1.8 |
V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
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Operating and storage temperature |
Tj , Tstg
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